Ապագայի սմարթֆոնները հագեցած կլինեն տերաբայթ հիշողությամբ


l_10533

ԱՄՆ Տեխաս նահանգի Ռայսի համալսարանի գիտնականները ներկայացրել են RRAM-ի արտադրության տեխնոլոգիան՝ ռեզիստային հիշողություն ազատ մատչումով, որը թույլ է տալիս ավելացնել սմարթֆոնների ու պլանշետների օպերատիվ հիշողության ծավալը տասնյակ, նույնիսկ հարյուրավոր անգամներ:

Խոսքը RRAM-ի տարատեսակներից մեկի մասին է, որի խտությունը բարձր է, իսկ էներգասպառման մակարդակը՝ ցածր, քան «սովորական» հիշողության դեպքում, գրում է MIT Technology Review-ը:

Տվյալ պահին RRAM հիշողության մոդուլի թողարկմամբ զբաղվում է ընդամենը մի քանի ընկերություն:

Նման միկրոսխեմաների արտադրության գործընթացը թանկ է և բավական բարդ. այն պահանջում է բարձր ջերմաստիճան ու լարում:

Թողնել պատասխան

Fill in your details below or click an icon to log in:

WordPress.com Logo

You are commenting using your WordPress.com account. Log Out / Փոխել )

Twitter picture

You are commenting using your Twitter account. Log Out / Փոխել )

Facebook photo

You are commenting using your Facebook account. Log Out / Փոխել )

Google+ photo

You are commenting using your Google+ account. Log Out / Փոխել )

Connecting to %s